1N750A_Q

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功能描述
稳压二极管 4.7V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N750A_Q 技术参数

1N750A TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N750A BK 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N750A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N750 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N749AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N751A_S00Z 1N751A_T50A 1N751A_T50R 1N751A-1 1N751ATR 1N751AUR-1 1N752A 1N752A BK 1N752A TR 1N752A_S00Z 1N752A_T50A 1N752A_T50R 1N752A-1 1N752ATR 1N752AUR-1 1N753A 1N753A BK 1N753A TR