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1N751AJANTX

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 10000

  • MICROSEMI

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1N751AJANTX 技术参数
  • 1N751A-1 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):14 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N751A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N751A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N751A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N751A TR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N752ATR 1N752AUR-1 1N753A 1N753A BK 1N753A TR 1N753A_S00Z 1N753A_T50A 1N753A_T50R 1N753A-1 1N753A-1TR 1N753ATR 1N753AUR-1 1N754A 1N754A BK 1N754A TR 1N754A_T50A 1N754A_T50R 1N754A-1
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