1SS269(TE85LF)

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1SS269(TE85LF) 技术参数

1SS250(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS244T-77 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 220V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:MSD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:5,000 1SS244T-72 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 220V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:MSD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:5,000 1SS226-TP 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 1SS226,LF 功能描述:PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 工作温度 - 结:125°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:3,000 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T) 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T