1SS362(T5LTST,F)

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1SS362(T5LTST,F) 技术参数

1SS361UDJ-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.23V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-963 供应商器件封装:SOT-963 标准包装:1 1SS361LPH4-7B 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN1006-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1SS361LP3-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.23V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:2-X3-DFN0603 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1SS361FV,L3F(T 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VESM 标准包装:1 1SS361CT(TPL3) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF