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1SS378(09)

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1SS378(09) 技术参数
  • 1SS375-TL-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3MCP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 - 1 对串联 电压 - 峰值反向(最大值):10V 电流 - 最大值:35mA 不同?Vr,F 时的电容:0.85pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):- 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:1 1SS374(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对串联 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):10V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 1SS370TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS367,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):10V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS366-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 - 1 对串联 电压 - 峰值反向(最大值):10V 电流 - 最大值:35mA 不同?Vr,F 时的电容:0.85pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA
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