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2N6660-E3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2N6660-E3
    2N6660-E3

    2N6660-E3

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • VISHAY

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • 2N6660-E3
    2N6660-E3

    2N6660-E3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • SIX

  • 200/BOX

  • 4200

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2N6660-E3
    2N6660-E3

    2N6660-E3

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Vishay Siliconix

  • TO-205AF

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2N6660-E3
    2N6660-E3

    2N6660-E3

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 125

  • VISHAY

  • TO39()

  • 0616+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 60V 0.99A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
2N6660-E3 技术参数
  • 2N6660-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-205AF(TO-39) 标准包装:20 2N6660 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):410mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N6650 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6649 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6648 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02 2N6661JTXP02 2N6661JTXV02 2N6667 2N6667G 2N6668 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714
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