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2SC5098-O(TE85L,F)

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2SC5098-O(TE85L,F) 技术参数
  • 2SC5096-R,LF 功能描述:TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:1.4dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 7mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5096-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 7mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5095-R(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 2GHz 增益:13dB ~ 7.5dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 7mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SC5095-O(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 2GHz 增益:13dB ~ 7dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 7mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SC5088-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200RTU 2SC5201(T6MURATAFM 2SC5201(TE6,F,M) 2SC5201,F(J 2SC5201,T6F(J 2SC5201,T6MURAF(J 2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-5-TL-E
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