2SC5545/ROHS

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " 2SC5545/ROHS " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 2SC5549,T6F(J 2SC5551AE-TD-E 2SC5551AF-TD-E 2SC555600L 2SC5566-TD-E 2SC5569-TD-E 2SC5585TL 2SC559200L 2SC5606-A

2SC5545/ROHS PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SC5545/ROHS 技术参数

2SC5536A-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:1.7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 150MHz 增益:16dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 3mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5508-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343F 标准包装:1 2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E