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2SC5545ZS-TL-E

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  • 2SC5545ZS-TL-E
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 300000

  • GP/RENESAS

  • SOT143

  • 最新批次

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  • 2SC5545ZS-TL-E
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 60000

  • RENESAS

  • SOT143

  • 2014+

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  • 全新原装现货

  • 2SC5545ZS-TL-E
    2SC5545ZS-TL-E

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 24711

  • RENESAS/瑞萨

  • SOT143

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 2SC5545ZS-TL-E
    2SC5545ZS-TL-E

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • RENESAS/瑞萨

  • SOT143

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SC5545ZS-TL-E
    2SC5545ZS-TL-E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • RENESAS

  • SOT143

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  • 2SC5545ZS-TL-E
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3939

  • RENESAS

  • SOT143

  • 2218+

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2SC5545ZS-TL-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SC5545ZS-TL-E 技术参数
  • 2SC5536A-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:1.7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 150MHz 增益:16dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 3mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5508-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 2GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343F 标准包装:1 2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E
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