2SC5570(Q)

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制造商
Toshiba
功能描述
NPN Cut Tape

2SC5570(Q) 技术参数

2SC5569-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:240mV @ 175mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SC5566-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 4A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:225mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SC555600L 功能描述:TRANS NPN 10V 0.08A MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 20mA，8V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:6GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SC5551AF-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:3.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:135 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SC5551AE-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:3.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E 2SC5706-H 2SC5706-P-E 2SC5706-P-TL-E 2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-H 2SC5707-E