2SCR371P5T100Q

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2SCR371P5T100Q 技术参数

2SCR346PT100Q 功能描述:NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR346PT100P 功能描述:NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR293PT100 功能描述:TRANS NPN 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SCR293PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR293P5T100 功能描述:NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR512PFRAT100 2SCR512PT100 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100 2SCR514PT100 2SCR514RTL 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL 2SCR523EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL 2SCR523V1T2L 2SCR533P5T100