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2SD1675

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2SD1675 技术参数
  • 2SD1664T100R 功能描述:TRANS NPN 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1664T100Q 功能描述:TRANS NPN 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1664T100P 功能描述:TRANS NPN 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD16450R 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8000 @ 1A,10V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126B-A1 标准包装:1,000 2SD16400R 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8000 @ 1A,10V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126B-A1 标准包装:200 2SD1757KT146Q 2SD1757KT146R 2SD1757KT146S 2SD1758TLP 2SD1758TLQ 2SD1758TLR 2SD1759TL 2SD1760TLP 2SD1760TLQ 2SD1760TLR 2SD1763AE 2SD1766T100P 2SD1766T100Q 2SD1766T100R 2SD1767T100Q 2SD1767T100R 2SD1768STPQ 2SD1768STPR
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