2SD1697-T-KE

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2SD1697-T-KE 技术参数

2SD1685G 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:280 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1685F 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-126 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1683T 功能描述:TRANS NPN 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1683S 功能描述:TRANS NPN 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1664T100R 功能描述:TRANS NPN 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1758TLQ 2SD1758TLR 2SD1759TL 2SD1760TLP 2SD1760TLQ 2SD1760TLR 2SD1763AE 2SD1766T100P 2SD1766T100Q 2SD1766T100R 2SD1767T100Q 2SD1767T100R 2SD1768STPQ 2SD1768STPR 2SD1773 2SD1781KT146Q 2SD1781KT146R 2SD1782KT146Q