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2SD1853-AA

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1000

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

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  • SANYO

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  • 2SD1853-AA
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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

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    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 6500

  • SANYO

  • 原厂原装

  • 1651+

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 8650000

  • SANYO

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  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • Bulk
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • TRANS DARL NPN 80V 60A TO-92
2SD1853-AA 技术参数
  • 2SD1835T-AA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SSIP 供应商器件封装:3-NP 标准包装:1 2SD1835T 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:3-NP 标准包装:500 2SD1835S-AA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:3-NP 标准包装:1 2SD1835S 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:3-NP 标准包装:500 2SD1834T100 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1859TV2R 2SD1861TV2 2SD1862TV2Q 2SD1862TV2R 2SD1863TV2Q 2SD1863TV2R 2SD1864TV2Q 2SD1864TV2R 2SD1866TV2 2SD1867TV2 2SD1898T100P 2SD1898T100Q 2SD1898T100R 2SD1913S 2SD1918TLQ 2SD1938FSL 2SD1938FTL 2SD1949T106Q
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