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2SD1978

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  • 深圳市中平科技有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市桂鹏科技有限公司
    深圳市桂鹏科技有限公司

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2SD1978 技术参数
  • 2SD1963T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD1963T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD1949T106R 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD1949T106Q 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD1938FTL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):800 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q
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