2SD1985AP

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2SD1985AP 技术参数

2SD1980TL 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SD1963T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD1963T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S