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2SD1991ARTA

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2SD1991ARTA 技术参数
  • 2SD1991ARA 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):210 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD1991A0A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD1980TL 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):500 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):500 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S 2SD2114KT146V 2SD2114KT146W
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