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2SD2415DRF

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2SD2415DRF 技术参数
  • 2SD2413G0L 功能描述:TRANS NPN 400V 0.1A MINIP-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F2 标准包装:1 2SD241300L 功能描述:TRANS NPN 400V 0.1A MINI PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SD2406-Y(F) 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):30μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:8MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SD2401 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 12A MT200 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 7mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):5000 @ 7A,4V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:55MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-ESIP 供应商器件封装:MT-200 标准包装:250 2SD2396K 功能描述:TRANS NPN 60V 3A TO220 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 50mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 500mA,4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SD24790RA 2SD250400A 2SD2528 2SD2537T100V 2SD25490P 2SD2560 2SD2561 2SD2562 2SD256500A 2SD25730QA 2SD25980RA 2SD2607FU6 2SD2620G0L 2SD2620J0L 2SD262100L 2SD2621G0L 2SD262300L 2SD2623G0L
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