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2SD262100LCT

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2SD262100LCT 技术参数
  • 2SD262100L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.02A SSS MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标准包装:1 2SD2620J0L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.02A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.02A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SD2607FU6 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 6mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SD25980RA 功能描述:TRANS NPN DARL 50V 0.5A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD2654TLV 2SD2654TLW 2SD2656FRAT106 2SD2656T106 2SD2657KT146 2SD2657TL 2SD2661T100 2SD2662T100 2SD2670TL 2SD2671TL 2SD2672TL 2SD2673TL 2SD2674TL 2SD2675TL 2SD2679T100 2SD2695(T6CANO,A,F 2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695(T6CNO,A,F)
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