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2SD2662T100

配单专家企业名单
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  • 封装
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  • 2SD2662T100
    2SD2662T100

    2SD2662T100

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

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  • 2SD2662T100
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

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    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

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    地址:上步工业区501栋410室

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  • ROHM/罗姆

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  • 2SD2662T100
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

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  • 1900

  • Rohm Semiconductor

  • TO-243AA

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2SD2662T100 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2SD2662T100 技术参数
  • 2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):180mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:360MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2657TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SD2657KT146 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD2656T106 功能描述:TRANS NPN 30V 1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD2695(T6CNO,A,F) 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL 2SD2703TL 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25
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