2SK3430-ZJ

配单专家企业名单

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说明
操作

2SK3430-ZJ
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
19056
NEC
TO-263
21+
-
原厂原装现货

2SK3430-ZJ
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
17895
NEC
TO-263
2024+
-
保证原装现货

2SK3430-ZJ
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
5000
科信/KEXIN
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

2SK3430-ZJ
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEC
TO-263
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

2SK3430-ZJ
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-263
NEC
17+
-
原装正品。优势供应

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB

2SK3430-ZJ 技术参数

2SK3430-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 2SK3430-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 2SK34260TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:107μA @ 2V 漏极电流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3403(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:450V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:50 2SK3388(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4000pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-97 供应商器件封装:TFP（9.2x10.7）标准包装:1,500 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E