您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 2字母型号搜索 > 2字母第2154页 >

2SK3431-Z-E1-AZ

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SK3431-Z-E1-AZ
    2SK3431-Z-E1-AZ

    2SK3431-Z-E1-AZ

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Renesas Electronics Ameri

  • TO-220AB

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
2SK3431-Z-E1-AZ PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
  • 制造商
  • renesas electronics america
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 83A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 5.6 毫欧 @ 42A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 110nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 6100pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 1.5W
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3
  • 供应商器件封装
  • TO-220AB
  • 标准包装
  • 1,000
2SK3431-Z-E1-AZ 技术参数
  • 2SK3431-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):83A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 2SK3430-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.3 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 2SK3430-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.3 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 2SK34260TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):107μA @ 2V 漏极电流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3403(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:50 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F
配单专家

在采购2SK3431-Z-E1-AZ进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买2SK3431-Z-E1-AZ产品风险,建议您在购买2SK3431-Z-E1-AZ相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的2SK3431-Z-E1-AZ信息由会员自行提供,2SK3431-Z-E1-AZ内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号