2SK3480-Z-E1-AZ

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2SK3480-Z-E1-AZ 技术参数

2SK3480-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 2SK3476(TE12L,Q) 功能描述:MOSF RF N CH 20V 3A PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:520MHz 增益:11.4dB 电压 - 测试:7.2V 额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:7W 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-271AA 供应商器件封装:PW-X 标准包装:1 2SK3475TE12LF 功能描述:MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:520MHz 增益:14.9dB 电压 - 测试:7.2V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:630mW 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3466(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-97 供应商器件封装:TFP（9.2x10.7）标准包装:1,500 2SK3462(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:267pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:2,000 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703