2SK3559

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2SK3559
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
PANASONIC
TO-3P
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深圳市信通吉电子有限公司
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PANASONIC
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2SK3559 技术参数

2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:200mW 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 标准包装:1 2SK354700L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标准包装:1 2SK3546J0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:125mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E