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2SK3666-3-TB

配单专家企业名单
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  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原装正品 欢迎洽谈 电话010-62...

  • 2SK3666-3-TB
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • SANYO

  • 标准封装

  • 06+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2SK3666-3-TB
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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 12474

  • SANYO/三洋

  • SOT-23

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • 3-CP

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • SOT-23

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK3666-3-TB-E
    2SK3666-3-TB-E

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512微信同号

    地址:上步工业区501栋410室

  • 30000

  • ON/安森美

  • SMD

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • SOT-23

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK3666-3-TB-E
    2SK3666-3-TB-E

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 50896

  • ON Semiconductor

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 69900

  • SANYO

  • SOT-23

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

  • 2SK3666-3-TB
    2SK3666-3-TB

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT23

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 13257

  • ON Semiconductor

  • N/A

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • 2SK3666-3-TB-E
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 69200

  • ON

  • SANYO

  • 18+

  • -
  • 全新原装,优势库存

  • 2SK3666-3-TB-E
    2SK3666-3-TB-E

    2SK3666-3-TB-E

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 9000

  • ON/安森美

  • SMD

  • 20+

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  • 订货中可预订

  • 2SK3666-3-TB-E 其他电子管
    2SK3666-3-TB-E 其他电子管

    2SK3666-3-TB-E 其他电子管

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 30000

  • ON/安森美

  • SMD

  • 21+原装

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  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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2SK3666-3-TB PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK3666-3-TB 技术参数
  • 2SK3666-2-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:* 零件状态:新产品 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):600μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SK3662(F) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.5 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5120pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.4 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8
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