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2SK3729-01S-TE24R

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 20347

  • FUJITSU/富士通

  • TO-263-3

  • 21+

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  • 原厂原装现货

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 7000

  • FUJ

  • TO-263-3

  • 2012+

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  • 只做原装正品

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • FUJ

  • TO-263-

  • 22+

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  • 全新原装现货供应

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • FUJITSU/富士通

  • TO-263-3

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 7000

  • FUJ

  • TO-263-3

  • 假一赔十!!

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  • 绝对原装现货!

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • FUJ

  • TO-263-3

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  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 4536

  • FUJ

  • TO-263-3

  • 1301+

  • -
  • 原装现货/特价

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2SK3729-01S-TE24R 技术参数
  • 2SK3720-5-TB-E 功能描述:FET RF 15V 100MHZ 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:N 通道 频率:100MHz 增益:35dB 电压 - 测试:10V 额定电流:30mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3711 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8000pF @ 10V 功率 - 最大值:130W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,000 2SK3710 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220S 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8400pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3709 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 19A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SK3708 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SK3748 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801 2SK3811-ZP-E1-AY 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E
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