您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 2字母型号搜索 >

2SK932-21-TB

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SK932-21-TB
    2SK932-21-TB

    2SK932-21-TB

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT23

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
2SK932-21-TB PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK932-21-TB 技术参数
  • 2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK880-BL(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8.2pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-GR(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8.2pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06
配单专家

在采购2SK932-21-TB进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买2SK932-21-TB产品风险,建议您在购买2SK932-21-TB相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的2SK932-21-TB信息由会员自行提供,2SK932-21-TB内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号