A2GESR-W

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " A2GESR-W " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： A2I08H040GNR1 A2I08H040NR1 A2I09VD030GNR1 A2I09VD030NR1 A2I20D020GNR1 A2I20D020NR1 A2I20D040GNR1 A2I20D040NR1 A2I20H060GNR1

A2GESR-W PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

A2GESR-W PDF下载

制造商
Midlite Products
功能描述
White Power+Port® Kit
制造商
MIDLITE PRODUCTS
功能描述
POWER PORT KIT WHITE INCLUDES POWER CORD

A2GESR-W 技术参数

A2G35S200-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:16.1dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:291mA 功率 - 输出:180W 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-400S-2S 供应商器件封装:NI-400S-2S 标准包装:250 A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:190mA 功率 - 输出:51dBm 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-400S-2S 供应商器件封装:NI-400S-2S 标准包装:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-780S-4L 供应商器件封装:NI-780S-4L 标准包装:250 A2G26H280-04SR3 A2G22S251-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 2.2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:52dBm 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-400S-2S 供应商器件封装:NI-400S-2S 标准包装:250 A2I20H060NR1 A2I20H080GNR1 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M