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AO3413.

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

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    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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    联系人:李先生

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AO3413. 技术参数
  • AO3413 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):97 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3409_103 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 AO3409 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 2.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):370pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3407A 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):48 毫欧 @ 4.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):830pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3406L_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 AO3415L_107 AO3416 AO3416_104 AO3418 AO3418_101 AO3419 AO3419_101 AO3420 AO3420L AO3420L_103 AO3421 AO3421E AO3421L AO3422 AO3423 AO3423_102 AO3424 AO3424_102
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