AOW212

配单专家企业名单

型号
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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

AOW212A
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
14891
NAIS
SOP
21+
-
原厂原装现货

AOW212
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
SOP
18+
-
优势库存，原装现货

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AOW212 技术参数

AOW20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:199 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1038pF @ 100V 功率 - 最大值:266W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW20C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AOW15S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:841pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW15S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:717pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW14N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2297pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW29S50 AOW418 AOW-4542P-B-R AOW-4544L-C3310-B-R AOW-4544P-C3310-B-R AOW480 AOW482 AOW4S60 AOW7S60 AOW7S65 AOWF10N60 AOWF10N65 AOWF10T60 AOWF10T60P AOWF11A60 AOWF11C60 AOWF11N60 AOWF11N70