AOW400FN-R

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制造商
IDEC CORPORATION
功能描述
(TK392) 40mm MSH PB

AOW400FN-R 技术参数

AOW29S50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1312pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW298 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW296 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-262 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:1,000 AOW292 功能描述:MOSFET NCH 100V 105A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6775pF @ 50V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AOW2918 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOWF10N60 AOWF10N65 AOWF10T60 AOWF10T60P AOWF11A60 AOWF11C60 AOWF11N60 AOWF11N70 AOWF11S60 AOWF11S65 AOWF12N50 AOWF12N60 AOWF12N65 AOWF12T60 AOWF12T60P AOWF14N50 AOWF15S60 AOWF15S65