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APT25GP120BDF2

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APT25GP120BDF2
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APT
SMD
22+
-
十年配单，只做原装

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您是不是要找： APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S APT25GR120SD15

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APT25GP120BDF2 技术参数

APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V，25A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:2.15μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V，25A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT25GN120B2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:2.15μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT25GLQ120JCU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 45A 170W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:170W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT24M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4595pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:390 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2