您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

APT50GS60SRDQ2G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT50GS60SRDQ2G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG

APT50GS60SRDQ2G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT50GS60SRDQ2G PDF下载

制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

APT50GS60SRDQ2G 技术参数

APT50GS60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 开关能量:755μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/225ns 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 开关能量:755μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/225ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:25ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 开关能量:755μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/225ns 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:445nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/237ns 测试条件:600V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.55nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6