APTC60HM70RT3G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTC60HM70RT3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

APTC60HM70RT3G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTC60HM70RT3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
85
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTC60HM70RT3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTC60HM70RT3G-MODULE
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
MICROCHIP
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

1/1页 40条/页共12条
1

您是不是要找： APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG

APTC60HM70RT3G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTC60HM70RT3G PDF下载

功能描述
POWER MODULE FULL BRIDGE SP3F
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
CoolMOS™
标准包装
10
系列
*

APTC60HM70RT3G 技术参数

APTC60HM70BT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60HM45T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60HM45SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC60HM35T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60HM24T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G