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APTCC3028
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APTCC3028
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT
标准封装
08+/pb
-
全新原装100%正品保证质量

APTCC3028
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

APTCC3028
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9885
TO247
14+
-
绝对公司原装现货

APTCC3028
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APTCC3028
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APTCC3028 技术参数

APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK

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