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APTCFGP2VTR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTCFGP2VTR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Apem Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

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1

您是不是要找： APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G

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功能描述
触觉开关 SW TACT SPST 0.05A 12VDC
RoHS
否
制造商
C&K Components
工作力
2 N
执行器
Round
电流额定值
50 mA
电压额定值 DC
32 V
电压额定值 AC
功率额定值
1 VA
接地端子
Yes
触点形式
SPST-NO
开关功能
安装风格
SMD/SMT
安装方向
Right
晶体管管座高度
颜色
照明
Not Illuminated
照明颜色
封装

APTCFGP2VTR 技术参数

APTCFGP1VTR 功能描述:Tactile Switch SPST-NO Top Actuated Surface Mount 制造商:apem inc. 系列:APTC 包装:带卷（TR）零件状态:有效电路:SPST-NO 开关功能:关-瞬时不同电压时的触头额定电流:0.05A @ 12VDC 致动器类型:标准安装类型:表面贴装 PCB 外致动器高度（从引脚计算）:2.10mm 致动器方向:顶部触动端子类型:鸥翼型外形:4.70mm x 3.50mm 照明:不发光照明电压（标称值）:- 照明类型，颜色:- 作用力:160gf 侵入防护:- 特性:接地引脚致动器材料:热塑塑胶开关行程:0.20mm 机械寿命:- 工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:2,400 APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK APTD1608LSYCK/J3-PF APTD1608LVBC/D