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APTD1608CGCK

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  • APTD1608CGCK
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  • 深圳市百润电子有限公司
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    地址:沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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    联系人:张先生

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • APTD1608CGCK
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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
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    联系人:王小姐

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    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

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  • APTD1608CGCK
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

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    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

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    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

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  • 主营优势

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  • 功能描述
  • 标准LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 封装 / 箱体
  • 0402
  • LED 大小
  • 1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm
  • 照明颜色
  • Red
  • 波长/色温
  • 631 nm
  • 透镜颜色/类型
  • Water Clear
  • 正向电流
  • 30 mA
  • 正向电压
  • 2 V
  • 光强度
  • 54 mcd
  • 显示角
  • 130 deg
  • 系列
  • VLMx1500
  • 封装
  • Reel
APTD1608CGCK 技术参数
  • APTCV90TL12T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 - IGBT,FET 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM99T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 - IGBT,FET 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM70T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3 标准包装:100 APTCV60TLM45T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT3 SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 - IGBT,FET 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM24T3G 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3 标准包装:100 APTD1608QBC/D APTD1608SEC/J3 APTD1608SECK APTD1608SECK/J3-PF APTD1608SECK/J4-PF APTD1608SURCK APTD1608SYC/J3 APTD1608SYCK APTD1608SYCK/J3-PF APTD1608VBC/D APTD1608ZGC APTD1608ZGCK APTD2012LCGCK APTD2012LQBC/D APTD2012LSURCK APTD2012LSYCK APTD2012LVBC/D APTD2012LZGCK
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