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APTGF50DH60T
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APTGF50DH60T1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF50DH60T1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
全新原装现货

APTGF50DH60T
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3300
isc,iscsemi
N93X40-12L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTGF50DH60T1G
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
23587
Microsemi Power Products
原厂封装
2023+
-
原装新到现货库存

APTGF50DH60T
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APTGF50DH60T
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APTGF50DH60T 技术参数

APTGF50DH120TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF50DH120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF50DDA60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF50DDA120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF50DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF50SK120T1G APTGF50SK120TG APTGF50TA120PG APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG APTGF75DSK120TG APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G

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