APTGL180A120T3AG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGL180A120T3AG
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGL180A120T3AG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGL180A120T3AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTGL180A120T3AG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTGL180A120T3AG
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
50
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGL180A120T3AG 技术参数

APTGL180A1202G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 750W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGL120TDU120TPG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1200V 140A 517W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:517W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGL120TA120TPG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 140A 517W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:517W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGFQ25H120T2G 功能描述:IGBT Module NPT and Fieldstop Full Bridge 1200V 40A 227W Through Hole SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 型和场截止型配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:227W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.02nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:通孔封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGF90TDU60PG 功能描述:IGBT Module NPT Triple, Dual - Common Source 600V 110A 416W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGL475U120D4G APTGL475U120DAG APTGL60DDA120T3G APTGL60DH120T3G APTGL60DSK120T3G APTGL60H120T3G APTGL60TL120T3G APTGL700DA120D3G APTGL700SK120D3G APTGL700U120D4G APTGL90A120T1G APTGL90DA120T1G APTGL90DDA120T3G APTGL90DH120T3G APTGL90DSK120T3G APTGL90H120T3G APTGL90SK120T1G APTGLQ100A120T3AG