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APTGL700DA120D3G

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封装
批号
价格
说明
操作

APTGL700DA120D3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
单一
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
840A
功率 - 最大值
3000W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.2V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）
5mA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）
37.2nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
D3
标准包装
1

APTGL700DA120D3G 技术参数

APTGL60TL120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL60H120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL60DSK120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路降压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL60DH120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL60DDA120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ100A120T3AG APTGLQ100A120TG APTGLQ100A65T1G APTGLQ100DA120T1G APTGLQ100H65T3G APTGLQ150A120TG APTGLQ150H120G APTGLQ200A120T3AG APTGLQ200H120G APTGLQ200H65G APTGLQ200HR120G APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G