APTGT100A120D1G

配单专家企业名单

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封装
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价格
说明
操作

APTGT100A120D1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
D1
17+
-
全新原装现货

APTGT100A120D1G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
100A/1200V/IGBT/2U
2024+
-
全新现货价格优势

APTGT100A120D1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

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功能描述
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
Trench + Field Stop IGBT®
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT100A120D1G 技术参数

APTGT100A1202G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 480W Through Hole SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:通孔封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:150μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G