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APTGT100DH60T3G

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    APTGT100DH60T3G

    APTGT100DH60T3G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT100DH60T3G
    APTGT100DH60T3G

    APTGT100DH60T3G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全称
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DH60T3G 技术参数
  • APTGT100DH170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:560W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT100DH120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 140A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100DDA60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 600V 150A 340W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT100DA60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 150A 340W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100DA60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 150A 340W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT100SK120D1G APTGT100SK120TG APTGT100SK170D1G APTGT100SK170TG APTGT100SK60T1G APTGT100SK60TG APTGT100TA120TPG APTGT100TA60PG APTGT100TDU60PG APTGT100TL170G APTGT100TL60T3G APTGT150A1202G APTGT150A120D1G APTGT150A120G APTGT150A120T3AG APTGT150A120TG APTGT150A170D1G APTGT150A170G
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