APTGT150A170G

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT150A170G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGT150A170G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT150A170G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT150A170G 技术参数

APTGT150A170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 280A 780W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:780W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150A120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150A120T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 833W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT150A120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 700W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:700W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150DA60TG APTGT150DH120G APTGT150DH170G APTGT150DH60TG APTGT150DU120G APTGT150DU120TG APTGT150DU170G APTGT150DU60TG APTGT150H120G APTGT150H170G APTGT150H60TG APTGT150SK120D1G APTGT150SK120G APTGT150SK120TG APTGT150SK170D1G APTGT150SK170G APTGT150SK60T1G APTGT150SK60TG