APTGT200DH120G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT200DH120G
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
14773
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原厂原装现货

APTGT200DH120G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTGT200DH120G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGT200DH120G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT200DH120G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT200DH120G 技术参数

APTGT200DA60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT200DA60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT200DA170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200DA120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G APTGT25DA120D1G APTGT25H120T1G APTGT25SK120D1G