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APTGT200SK60T3AG

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  • APTGT200SK60T3AG
    APTGT200SK60T3AG

    APTGT200SK60T3AG

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

    资质:营业执照

  • 20368

  • MICROSEMI/美高森美

  • NA

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • APTGT200SK60T3AG
    APTGT200SK60T3AG

    APTGT200SK60T3AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT200SK60T3AG
    APTGT200SK60T3AG

    APTGT200SK60T3AG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT200SK60T3AG
    APTGT200SK60T3AG

    APTGT200SK60T3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOD IGBT 600V 290A SP3
APTGT200SK60T3AG 技术参数
  • APTGT200SK170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200SK120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT200SK120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):6mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200H60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 290A 625W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G APTGT25DA120D1G APTGT25H120T1G APTGT25SK120D1G APTGT25X120T3G APTGT300A120D3G APTGT300A120G APTGT300A170D3G APTGT300A170G APTGT300A60D3G APTGT300A60G APTGT300A60TG APTGT300DA120D3G
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