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APTGT200SK60TG

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  • APTGT200SK60TG
    APTGT200SK60TG

    APTGT200SK60TG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
APTGT200SK60TG PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
APTGT200SK60TG PDF下载
  • 功能描述
  • IGBT 600V 290A 625W SP4
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 无
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGT200SK60TG 技术参数
  • APTGT200SK60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT200SK170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200SK120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT200SK120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200H60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 290A 625W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G APTGT25DA120D1G APTGT25H120T1G APTGT25SK120D1G APTGT25X120T3G APTGT300A120D3G APTGT300A120G APTGT300A170D3G APTGT300A170G APTGT300A60D3G APTGT300A60G APTGT300A60TG APTGT300DA120D3G APTGT300DA120G
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