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APTGT150DU60TG

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说明
操作

APTGT150DU60TG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP4
17+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT150DU60TG 技术参数

APTGT150DU170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DU120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150DH170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150SK60TG APTGT150TA60PG APTGT150TDU60PG APTGT150TL60G APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G