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APTGT100A120T3AG

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  • APTGT100A120T3AG
    APTGT100A120T3AG

    APTGT100A120T3AG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT100A120T3AG
    APTGT100A120T3AG

    APTGT100A120T3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT100A120T3AG
    APTGT100A120T3AG

    APTGT100A120T3AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT100A120T3AG
    APTGT100A120T3AG

    APTGT100A120T3AG

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13305449939

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • MICROCHIP

  • NA

  • 近两年

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  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT100A120T3AG 技术参数
  • APTGT100A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 150A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT100A1202G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 480W Through Hole SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:通孔 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:150μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G APTGT100H60TG
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