您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2563页 >

APTGLQ100H65T3G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTGLQ100H65T3G
    APTGLQ100H65T3G

    APTGLQ100H65T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
APTGLQ100H65T3G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • 沟槽型场截止
  • 配置
  • 全桥
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 135A
  • 功率 - 最大值
  • 350W
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.3V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 50μA
  • 不同?Vce 时的输入电容(Cies)
  • 6.15nF @ 25V
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • 模块
  • 供应商器件封装
  • SP3F
  • 标准包装
  • 1
APTGLQ100H65T3G 技术参数
  • APTGLQ100DA120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.42V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ100A65T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ100A120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.42V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGLQ100A120T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 185A 650W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):185A 功率 - 最大值:650W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL90SK120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.25V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G
配单专家

在采购APTGLQ100H65T3G进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APTGLQ100H65T3G产品风险,建议您在购买APTGLQ100H65T3G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APTGLQ100H65T3G信息由会员自行提供,APTGLQ100H65T3G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号