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APTGLQ50TL65T3G

配单专家企业名单
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  • APTGLQ50TL65T3G
    APTGLQ50TL65T3G

    APTGLQ50TL65T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

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APTGLQ50TL65T3G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • 沟槽型场截止
  • 配置
  • 三级反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 70A
  • 功率 - 最大值
  • 175W
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.3V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 50μA
  • 不同?Vce 时的输入电容(Cies)
  • 3.1nF @ 25V
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • 模块
  • 供应商器件封装
  • SP3F
  • 标准包装
  • 1
APTGLQ50TL65T3G 技术参数
  • APTGLQ50H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ50H65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ50DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 标准包装:1 APTGLQ40HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ40H120T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G
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